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| Artikel-Nr.:
822EL-1697186 Herst.-Nr.:
DMN1150UFB-7B EAN/GTIN:
5059043761558 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = X1-DFN1006
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 210 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -6 V, +6 V
Breite = 0.675mm
Höhe = 0.48mm
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | X1-DFN1006 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 210 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -6 V, +6 V | Breite: | 0.675mm | Höhe: | 0.48mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1697186, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN1150UFB7B, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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