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| Artikel-Nr.:
822EL-1708323 Herst.-Nr.:
SI3499DV-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040764286 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 8 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 48 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.35V
Verlustleistung max. = 1,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -5 V, +5 V
Breite = 1.7mm
Höhe = 1mm
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 8 V | Gehäusegröße: | TSOP-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 48 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.35V | Verlustleistung max.: | 1,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -5 V, +5 V | Breite: | 1.7mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1708323, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI3499DVT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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