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| Artikel-Nr.:
822EL-1708393 Herst.-Nr.:
SI7121DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040666283 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 9,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 27,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 3.15mm
Höhe = 1.07mm
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 9,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 26 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 27,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Breite: | 3.15mm | Höhe: | 1.07mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1708393, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7121DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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