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| Artikel-Nr.:
822EL-1710128 Herst.-Nr.:
NGB8207ABNT4G EAN/GTIN:
5059041533683 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 365 V
Gate-Source Spannung max. = ±15V
Verlustleistung max. = 165 W
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.29 x 9.65 x 4.83mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
IGBT, diskret, ON Semiconductor. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 365 V | Gate-Source Spannung max.: | ±15V | Verlustleistung max.: | 165 W | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: transistor d2-pak, smd transistor, 1710128, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Littelfuse, NGB8207ABNT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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