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| Artikel-Nr.:
822EL-1711959 Herst.-Nr.:
IPB64N25S320ATMA1 EAN/GTIN:
5059043822129 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 10.25mm
Höhe = 4.4mm
Der Infineon IPB64N25S3-20 ist der N-Kanal-MOSFET für die Automobilindustrie mit 250 V. Der Gehäusetyp des Geräts ist der 3-polige D2PAK und 175 °C Betriebstemperatur.N-Kanal - Anreicherungstyp AEC-Zulassung MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 64 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 10.25mm | Höhe: | 4.4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1711959, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB64N25S320ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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