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| Artikel-Nr.: 822EL-1777625 Herst.-Nr.: SQ2301ES-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2,2 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V Verlustleistung max. = 3 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Betriebstemperatur max. = +175 °C Höhe = 1.02mm
P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 180 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.45V | Verlustleistung max.: | 3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 1.02mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1777625, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2301EST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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