Microchip VN0104 VN0104N3-G N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 350 mA 1 W, 3-Pin TO-92

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 350 mA
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 4.06mm
Höhe = 5.33mm

Dieser (normally off) Transistor als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedrige Anforderung an die Stromversorgung Einfacher Parallelbetrieb Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten Ausgezeichnete Temperaturstabilität Integrierte Source-Drain-Diode Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung