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Vishay SUP85N10-10-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250 W, 3-Pin TO-220AB


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Vishay SUP85N10-10-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250 W, 3-Pin TO-220AB
Artikel-Nr.:
     822EL-1780874
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUP85N10-10-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 85 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.7mm
Höhe = 9.01mm

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
85 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
10,5 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
250 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
4.7mm
Höhe:
9.01mm
Weitere Suchbegriffe: 1780874, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUP85N1010GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Warenzustand:unbenutzt
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