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| Artikel-Nr.:
822EL-1781446 Herst.-Nr.:
IRG4BC30WPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.54 x 4.69 x 8.77mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Einfach-IGBT bis 20 A, Infineon. Optimierte IGBT für Anwendungen mittlerer Frequenzen mit schnellem Ansprechen bieten dem Benutzer die höchste verfügbare Effizienz. Diese Geräte verwenden FRED-Dioden, die für die beste Leistung mit IGBTs optimiert wurden Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 23 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.54 x 4.69 x 8.77mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-220ab, 1781446, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRG4BC30WPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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