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| Artikel-Nr.:
822EL-1783702 Herst.-Nr.:
SiZ348DT-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAIR 3 x 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.4V
Verlustleistung max. = 16,7 W
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +20 V
Breite = 3mm
Serie = TrenchFET
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV Die High-Side- und die Low-Side-MOSFETs bilden eine optimierte Kombination für 50 % Tastverhältnis Optimierter RDS – Qg und RDS – Qgd FOM steigert den Wirkungsgrad beim Schalten hoher Frequenzen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAIR 3 x 3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 m? | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 16,7 W | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +20 V | Breite: | 3mm | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1783702, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SiZ348DTT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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