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| Artikel-Nr.:
822EL-1783962 Herst.-Nr.:
SiS110DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 4V
Verlustleistung max. = 24 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 3.15mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 14,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 70 m? | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 4V | Verlustleistung max.: | 24 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 3.15mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1783962, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SiS110DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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