onsemi FDMS4D0N12C N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 67 A 106 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 67 A
Drain-Source-Spannung max. = 120 V
Gehäusegröße = PQFN 5 x 6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 106 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 6mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.3V

Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie RDS(ON) = 4,0 mΩ (typ.) (@ VGS = 10 V, ID = 67 A) RDS(ON) = 8,0 mΩ (typ.) (@ VGS = 6 V, ID = 33 A) 50 % geringerer Qrr als andere MOSFET Lieferanten Niedriges Schaltgeräusch / EMI MSL1 robustes Gehäusedesign Anwendungen: Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. Endprodukte: AC/DC- und DC/DC-Netzteile