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| Artikel-Nr.:
822EL-1826896 Herst.-Nr.:
DMN3020UTS-13 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 15 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TSSOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,4 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±12 V
Breite = 3.1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Niedrige Gate-Schwellenspannung, geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand für Anwendungen mit ESD-geschütztem Gate, Batterieüberwachungsanwendungen, Stromversorgungsfunktionen und DC/DC-Wandler Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 15 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | TSSOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,4 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±12 V | Breite: | 3.1mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1826896, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN3020UTS13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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