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| Artikel-Nr.:
822EL-1827118 Herst.-Nr.:
DMP2045UFY4-7 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 4,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = X2-DFN2015
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V
Verlustleistung max. = 1,49 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±8 V
Breite = 1.57mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom ESD-geschützt Vollständig bleifrei halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät. Anwendungen Hinterleuchtung. Stromüberwachungsfunktionen DC/DC-Wandler Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 4,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | X2-DFN2015 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 160 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.3V | Verlustleistung max.: | 1,49 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±8 V | Breite: | 1.57mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.2V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1827118, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMP2045UFY47, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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