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ROHM RUF025N02 RUF025N02TL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,5 A 800 mW, 3-Pin SOT-323


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1835146
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RUF025N02TL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V
Verlustleistung max. = 800 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±10 V
Betriebstemperatur max. = 150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
2,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Gehäusegröße:
SOT-323
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
160 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1.3V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.3V
Verlustleistung max.:
800 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±10 V
Betriebstemperatur max.:
150 °C
Diodendurchschlagsspannung:
1.2V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, rohm mosfet, smd transistor, 1835146, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RUF025N02TL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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