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| Artikel-Nr.:
822EL-1841066 Herst.-Nr.:
NTR3C21NZT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 55 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 470 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±8 V
Breite = 1.4mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 55 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.45V | Verlustleistung max.: | 470 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±8 V | Breite: | 1.4mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-23, smd transistor, on semiconductor mosfet, 1841066, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTR3C21NZT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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