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onsemi MJD44H11-1G SMD, NPN Transistor 80 V dc / 8 A 1 MHz, DPAK (TO-252) 3 + Tab-Pin


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1844311
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MJD44H11-1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 20 W
Gleichstromverstärkung min. = 60
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Der Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine Leistungs- und Schaltausgänge oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern ausgelegt.Kabel für Oberflächenmontage in Kunststoffhülsen (ohne Suffix) Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen (″-1″ Suffix) Ausführung mit Vorband in 16-mm-Band und Rolle für Oberflächenmontage (Suffix ″T4″) Elektrisch ähnlich wie bei den gängigen Serien D44H/D45H Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,0 Volt Max. Bei 8,0 Ampere Hohe Schaltgeschwindigkeiten Komplementäre Paare Vereinfachen Designs Diese Geräte sind pbfrei
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
NPN
DC Kollektorstrom max.:
8 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
80 V dc
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Verlustleistung max.:
20 W
Gleichstromverstärkung min.:
60
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V dc
Arbeitsfrequenz max.:
1 MHz
Pinanzahl:
3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1844311, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD44H111G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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