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| Artikel-Nr.: 822EL-1844316 Herst.-Nr.: MJE5731AG EAN/GTIN: k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –3 A Kollektor-Emitter-Spannung = -350 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 40 W Gleichstromverstärkung min. = 30 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 350 V dc Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc Arbeitsfrequenz max. = 2 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für leitungsbetriebene Audioausgangsverstärker, Schaltmodustreiber und andere Schaltanwendungen ausgelegt.300 V bis 400 V (min.) - VCEO(sus) 1,0 A Nennstrom des Kollektors Beliebtes TO-220 Kunststoffgehäuse PNP-Ergänzungen zur Serie TIP47 bis TIP50 Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –3 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | -350 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 40 W | Gleichstromverstärkung min.: | 30 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 350 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Arbeitsfrequenz max.: | 2 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1844316, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE5731AG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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