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| Artikel-Nr.:
822EL-1867160 Herst.-Nr.:
FQT1N60CTF-WS EAN/GTIN:
k.A. |
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| Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 2,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Dieser N-Kanal-MOSFET für die Verstärkerleistung wird mit der proprietären Planar-Streifen- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt. Diese Advanced MOSFET-Technologie wurde speziell auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Bereitstellung einer überlegenen Schaltleistung und einer hohen Lawinenenergie zugeschnitten. Diese Geräte eignen sich für Schaltnetzteile, aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Vorschaltgeräte.0,2 A, 600 V, RDS(on) = 9,3Ω (typ.) @VGS = 10 V, ID = 0,1 A. Niedrige Gatterladung ( Typ. 4,8 nC) Niedrige Crss (Typ. 3,5 pF) Anwendungen Beleuchtung Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Pinanzahl: | 3 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 1867160, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FQT1N60CTFWS, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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