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| Artikel-Nr.:
822EL-1867419 Herst.-Nr.:
MJW3281AG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 230 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 16.26 x 5.3 x 21.08mm
Der MJW3281A Bipolar Complementary Audio Power Transistor ist ein Leistungstransistor für High-Power Audio, Disk Head Positioner und andere lineare Anwendungen.Ausgelegt für 100 W Audiofrequenz Verstärkung komplementär: Verstärkung Linearität von 100 mA bis 7 A hFE = 45 (min.) bei IC = 8 A Niedrige harmonische Verzerrung Hochsicherer Betriebsbereich - 1 A/100 V bei 1 Sekunde High fT - 30 MHz Typisch Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 230 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 200 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 16.26 x 5.3 x 21.08mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor npn, leistungstransistor, onsemi transistor, 1867419, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJW3281AG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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