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onsemi TIP32BG THT, PNP Transistor –80 V / –3 A 1 MHz, TO-220 3-Pin


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1867447
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     TIP32BG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IC Verstärker
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor
Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –3 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 40 W
Gleichstromverstärkung min. = 10
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C

Der Bipolar-Leistungstransistor ist für den Einsatz in allgemeinen Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert. Die TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN) und TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C, (PNP) sind ergänzende GeräteCollector-Emitter-Sättigungsspannung - VCE(sat) = 1,2 Vdc (max.) bei IC = 3,0 Adc Collector-Emitter Sustaining Voltage -VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - TIP31A, TIP32A =80 Vdc (min) - TIP31B, TIP32B =100 Vdc (min) - TIP31C, TIP32C High Current Gain Bandwidth Produkt fT = 3,0 MHz (min) @ IC = 500 mADC Kompaktes TO-220 AB-Paket
Weitere Informationen:
Transistor-Typ:
PNP
DC Kollektorstrom max.:
–3 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
–80 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Verlustleistung max.:
40 W
Gleichstromverstärkung min.:
10
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max.:
80 V dc
Basis-Emitter Spannung max.:
5 V dc
Arbeitsfrequenz max.:
1 MHz
Pinanzahl:
3
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Weitere Suchbegriffe: schalttransistor pnp, ic verstärker, onsemi transistor, 1867447, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, TIP32BG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors
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