|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1888284 Herst.-Nr.:
STB80NF55-06T4 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 6,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 9.35mm
Höhe = 4.37mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6,5 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 9.35mm | Höhe: | 4.37mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet 80a, 1888284, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB80NF5506T4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |