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| Artikel-Nr.:
822EL-1924658 Herst.-Nr.:
STL26N60DM6 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 15 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PowerFLAT 8 x 8 HV
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 215 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Breite = 8.1mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.6V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 15 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | PowerFLAT 8 x 8 HV | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 215 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.25V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Breite: | 8.1mm | Diodendurchschlagsspannung: | 1.6V |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, 1924658, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STL26N60DM6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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