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| Artikel-Nr.:
822EL-1924659 Herst.-Nr.:
STL45N60DM6 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PowerFLAT 8 x 8 HV
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.9mm
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert das DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem effektiven Schaltverhalten für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.Gehäusediode mit schneller Erholung Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand Extrem hohe dv/dt-Robustheit Zenerdioden-geschützt Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | PowerFLAT 8 x 8 HV | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 110 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.75V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.25V | Verlustleistung max.: | 160 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±25 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, 1924659, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STL45N60DM6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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