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| Artikel-Nr.:
822EL-192635 Herst.-Nr.:
IXGT30N120B3D1 EAN/GTIN:
5059041197922 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gehäusegröße = TO-268
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.05 x 14 x 5.1mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBTs, diskret, IXYS Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gehäusegröße: | TO-268 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.05 x 14 x 5.1mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor, 192635, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXGT30N120B3D1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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