onsemi AFGHL50T65SQDCOS THT, NPN Bipolarer Transistor 650 V / 100 A 1 MHz, TO-247 3-Pin

Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 238 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 15.87 x 4.82 x 20.82mm

Mit dem neuartigen Feldstopp-IGBT und der SiC SBD-Technologie bieten die neuen Hybrid-IGBTs von ON Semiconductor die optimale Leistung für harte Schaltanwendungen. Das Gerät koverpackt einen Silizium-basierten IGBT mit einer SiC Schottky-Diode, was zu einem ausgezeichneten Kompromiss zwischen der geringeren Leistung von silikonbasierten Lösungen und den höheren Kosten von vollständig SiC-basierten Lösungen führt.Mit SiC Schottky-Diode kopped Extrem niedriger Rückgewinnungsverlust Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C Höhere Zuverlässigkeit Sehr niedrige Schalt- und Leitungsverluste Positiver Temperaturkoeffizient Enge Parameterverteilung Anwendungen Kfz Industrie, Wechselrichter DC/DC-Konverter PFC, Totem-polig, ohne Zaumzeug Hartes Schalten