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Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® SQJA36EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 350 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     822EL-2006823
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJA36EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 350 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00124 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
350 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8L
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
0,00124 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
AEC-Q101, Automotive, TrenchFET®
Weitere Suchbegriffe: 2006823, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJA36EPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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