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onsemi NTH NTH4L080N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 4-Pin TO-247-4

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
822EL-2025700

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NTH4L080N120SC1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,11 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = NTH

Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 29 Ampere und 1200 Volt. Er kann in unterbrechungsfreier Stromversorgung, Boost-Wechselrichter, Motorantrieb für die Industrie, PV-Ladegerät verwendet werden.110 mO Ablass zur Quelle am Widerstand Extrem niedrige Gate-Ladung 100%ig auf Stoßentladung geprüft Bleifrei RoHS-konform

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	29 A
Drain-Source-Spannung max.:	1200 V
Gehäusegröße:	TO-247-4
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	4
Drain-Source-Widerstand max.:	0,11 O
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Serie:	NTH

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, 2025700, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTH4L080N120SC1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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