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| Artikel-Nr.:
822EL-2047199 Herst.-Nr.:
SiR626ADP-T1-RE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 165 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00175 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SiR626ADP
Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET ist auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM abgestimmt.Gehäuse Power PAK SO-8 Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 165 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,00175 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | SiR626ADP |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 2047199, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiR626ADPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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