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| Artikel-Nr.:
822EL-2047208 Herst.-Nr.:
SIHG105N60EF-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,102 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SiHG105N60EF Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 29 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,102 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | SiHG105N60EF |
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| Weitere Suchbegriffe: 2047208, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHG105N60EFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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