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| Artikel-Nr.:
822EL-2049878 Herst.-Nr.:
STGWA30H65DFB2 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 167 W
Gehäusegröße = TO-247
Pinanzahl = 3
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert.Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C. Niedriger VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A Sehr schnelle und weiche Rückgewinnungsdiode in einem Gehäuse Minimierter Endstrom Enge Parameterverteilung Niedriger Wärmewiderstand Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 167 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Pinanzahl: | 3 |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2049878, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGWA30H65DFB2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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