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| Artikel-Nr.:
822EL-2105004 Herst.-Nr.:
SiR826LDP-T1-RE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 86 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00415 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1 → 2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8-Gehäuse mit 86 A Ableitstrom.Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM) Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM 100 % Rg- und UIS-geprüft Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 86 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,00415 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 1 ? 2.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 2105004, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiR826LDPT1RE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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