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Vishay SQJ152ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 123 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2105047
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJ152ELP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 123 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,004 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2 → 2.2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
123 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
PowerPAK SO-8L
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
0,004 O
Gate-Schwellenspannung max.:
1.2 ? 2.2V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2105047, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJ152ELPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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