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| Artikel-Nr.:
822EL-2144370 Herst.-Nr.:
IPB60R280P7ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,28 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 600 V CoolMOS P7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,28 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 600 V CoolMOS P7 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 2144370, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB60R280P7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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