| |
|
| Artikel-Nr.: 822EL-2144372 Herst.-Nr.: IPB60R360P7ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,36 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = 600V CoolMOS P7 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,36 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 600V CoolMOS P7 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 2144372, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB60R360P7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |