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| Artikel-Nr.:
822EL-2183095 Herst.-Nr.:
IRF3710STRLPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 57 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,023 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Die HEXFET Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.Sehr niedriger Einschaltwiderstand Dynamische dv/dt-Bewertung Betriebstemperatur von 175 °C Fast Switching Bleifrei Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 57 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,023 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 2183095, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF3710STRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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