Infineon HEXFET AUIRF2804STRL N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 270 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 270 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,002°
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = HEXFET

Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 20 V bis 40 V für die Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen, um eine Reihe von Anforderungen zu erfüllen und RDS(on) bis hinunter auf 0,6 mEc zu erreichen. Die neue OptiMOS 6- und OptiMOS5 40-V-Benchmark-MOSFET-Technologie ermöglicht niedrige Leitungsverluste (Beste RDSon Leistung der Klasse), geringe Schaltverluste (verbessertes Schaltverhalten), verbesserte Diodenwiederherstellung und EMV-Verhalten. Diese MOSFET-Technologie wird in den Advanced- und innovativen Gehäusen eingesetzt, um die besten Produktleistungen und -qualität zu erreichen. Für ultimative Entwurfsflexibilität sind Kfz-qualifizierte MOSFETs in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich, um eine Vielzahl von Anforderungen zu erfüllen. Infineon bietet seinen Kunden eine kontinuierliche Verbesserung der Strombelastbarkeit, des Schaltverhaltens, der Zuverlässigkeit, der Gehäusegröße und der Gesamtqualität. Die neu entwickelte integrierte Halbbrücke ist eine innovative und kostengünstige Paketlösung für Motorantriebe und Gehäuseanwendungen.Advanced Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand 175 °C Betriebstemperatur Schnelle Schaltgeschwindigkeit Wiederholte Lawinen erlaubt bis zu Tjmax