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| Artikel-Nr.:
822EL-2207409 Herst.-Nr.:
IPD65R190C7ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 49 A
Drain-Source-Spannung max. = 700 V
Gehäusegröße = TO-252
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,9 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS C7
Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.650 V Spannung Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss) Niedrigere Gate-Ladung Qg. Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile 12 Jahre Herstellerfahrung in der Super-Junction-Technologie Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse Niedrige Schaltverluste Bessere Effizienz bei geringer Last Erhöhung der Leistungsdichte Hervorragende Cool MOS TM-Qualität Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 49 A | Drain-Source-Spannung max.: | 700 V | Gehäusegröße: | TO-252 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,9 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | CoolMOS C7 |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, smd-transistor to-252, smd diode, diode infineon, 2207409, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD65R190C7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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