Infineon HEXFET IRFR1010ZTRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 42 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0075 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 20V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = HEXFET

Die Infineon OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern Produktqualifikation nach JEDEC-Standard Normaler Pegel: Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerspannung SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard Kann wellengelötet werden