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onsemi IGBT / 5 A 16.5V max. 6-fach, 1200 V, 39-Pin DIP N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2216684
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NFAM0512L5BT
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 5 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 16.5V
Anzahl an Transistoren = 6
Konfiguration = Dreiphasenbrücke
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 39
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
5 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
16.5V
Anzahl an Transistoren:
6
Konfiguration:
Dreiphasenbrücke
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
39
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2216684, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NFAM0512L5BT, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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