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| Artikel-Nr.:
822EL-2222826 Herst.-Nr.:
DMN2053UVTQ-7 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TSOT-26
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 0,035 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Transistor-Werkstoff = Kunststoff
Serie = DMN
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TSOT-26 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,035 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Transistor-Werkstoff: | Kunststoff | Serie: | DMN |
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| Weitere Suchbegriffe: 2222826, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2053UVTQ7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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