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| Artikel-Nr.:
822EL-2224738 Herst.-Nr.:
IRF6636TRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 81 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = DirectFET ISOMETRISCH
Montage-Typ = SMD
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0064 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.45V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
Das Infineon Design der HEXFET ® Power MOSFET-Siliziumtechnologie mit Advanced Direct FETTM-Gehäuse, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- und nur 0,7-mm-Profils aufweist. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird.100 % Rg-geprüfte geringe Induktions- und Schaltverluste Extrem niedrige Gehäuseinduktivität, ideal für CPU-Kern-DC/DC-Wandler Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 81 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | DirectFET ISOMETRISCH | Montage-Typ: | SMD | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0064 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.45V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, 2224738, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF6636TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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