|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-2224893 Herst.-Nr.:
IPB60R099C7ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = IPB60R
Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on) Erhöhte Schaltfrequenz Bestes R (on)*A der Welt Robuste Gehäusediode Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 99 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | IPB60R |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 2224893, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPB60R099C7ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |