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| Artikel-Nr.:
822EL-2266099 Herst.-Nr.:
IKD15N60RFATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 250 W
Gehäusegröße = PG-TO252
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon IKD03N60RF ist aufgrund des monolithisch integrierten IGBT und der Diode aufgrund des geringeren thermischen Schaltzyklus zuverlässiger. Er verfügt über eine glatte Schaltleistung, die zu einem niedrigen EMI-Pegel führt, und sein Betriebsbereich beträgt 4 bis 30 kHz.Sehr enge Parameter Verteilung Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Kurzschlussfestigkeit von 5 μs Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 250 W | Gehäusegröße: | PG-TO252 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, 2266099, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKD15N60RFATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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