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| Artikel-Nr.:
822EL-2266110 Herst.-Nr.:
IKQ75N120CS6XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 25V
Verlustleistung max. = 880 W
Gehäusegröße = PG-TO247
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon 5 A IGBT mit antiparalleler Diode ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Diode und hat eine hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten. Er verwendete eine niedrige Gate-Ladung.Geringe elektromagnetische Störungen QG mit niedriger Gatterladung Niedrige Sättigungsspannung bei 1,85 V in Kombination mit niedrigen Schaltverlusten Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 150 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 25V | Verlustleistung max.: | 880 W | Gehäusegröße: | PG-TO247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2266110, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKQ75N120CS6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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