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| Artikel-Nr.: 822EL-2282874 Herst.-Nr.: SiHP080N60E-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,08 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Transistor-Werkstoff = Si Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 35 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,08 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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| Weitere Suchbegriffe: 2282874, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiHP080N60EGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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