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| Artikel-Nr.: 822EL-2282921 Herst.-Nr.: SiS176LDN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 42,3 A Drain-Source-Spannung max. = 70 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0109 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.6V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 42,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 70 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0109 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.6V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2282921, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiS176LDNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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