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STMicroelectronics IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 750 W, 3-Pin Max. 247


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2348894
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGYA75H120DF2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 750 W
Gehäusegröße = Max. 247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
150 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
750 W
Gehäusegröße:
Max. 247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2348894, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGYA75H120DF2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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