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Vishay SIHK075N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2395381
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHK075N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
29 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 10 x 12
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2395381, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHK075N60ET1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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