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Infineon IGBT / 7,5 A 20V max. , 600 V 6,8 W PG-SOT223-3


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     822EL-2408530
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKN04N60RC2ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 7,5 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 6,8 W
Gehäusegröße = PG-SOT223-3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
7,5 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
6,8 W
Gehäusegröße:
PG-SOT223-3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2408530, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKN04N60RC2ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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